Awaria systemu informatycznego, utrata dostępu do kluczowych danych, bądź utrata samych danych zajmują obecnie w przypadku każdej branży wysokie miejsce w rankingu czarnych scenariuszy związanych z działalnością przedsiębiorstwa. Panika, przestoje, straty (finansowe i wizerunkowe), a w pewnej liczbie przypadków nawet zaprzestanie działalności - to konsekwencje wystąpienia awarii związanej z IT.

Działy badawcze zajmujące się technologiami gromadzenia i przetwarzania danych pracują nad rozwiązaniami mającymi zastąpić rozwijane w coraz wolniejszym tempie pamięci typu DRAM i flash. Jest to szczególnie istotne w kontekście przewidywanego rozwoju nowych sektorów, w tym m.in. Internetu Rzeczy, Sztucznej Inteligencji, uczenia maszynowego, czy urządzeń typu wearable.

Wirtualne systemy IT stały się powszechne. Narzędzie to wykorzystywane jest szczególnie chętnie przez środowiska biznesowe i korporacyjne. Pozwalają one uruchomić na jednym serwerze wiele różnych stanowisk operacyjnych oraz różnorodne oprogramowanie. Rozwiązanie oferowane przez Citrix, Hyper-V czy Oracle mają szereg zalet - pozwalają na bardziej efektywne wykorzystanie serwerów, a także ograniczenia stopnia złożoności stosowanych konfiguracji sprzętowych, o korzyściach finansowych nie wspominając.

Jedną z technologii konkurujących w obszarze poszukiwań następcy dobijającej kresu swoich możliwości pamięci Flash jest CBRAM (Conductive Bridging RAM) - pamięć podobna do rezystywnego RAM-u. Jej parametry w kontekście zużywanej energii, jak również szybkości działania, znacznie przewyższają komórki NAND stanowiąc idealne rozwiązanie w przypadku urządzeń w segmencie np. Internetu Rzeczy (IoT), a także wszędzie tam gdzie priorytetowe są te właśnie parametry.

Wśród nowych rodzajów pamięci mogących zastąpić w przyszłości, zdaniem niektórych ekspertów, wysłużone i nie mające już zbyt szerokich perspektyw NAND/flash, zgodnie wymienia się pamięć zmiennofazową (phase-change memory, znana także m.in. jako PRAM - Phase-change Random Access Memory, czy OUM - Ovonic Unified Memory).

Pamięć rezystywna - teraźniejszość czy przyszłość?

Możliwości rozwoju pamięci opartych na zapisie magnetycznym lub przechowujących ładunek w komórkach półprzewodnikowych wydają się powoli wyczerpywać. Technologie, których rozwinięciem są tradycyjne dyski HDD, jak i pamięci NAND flash, a także różne rodzaje zapisu optycznego wciąż podlegają rozwojowi, niemniej jednak zakres ich zastosowania wydaje się zawężać. Czy urządzenia będące niedługo w powszechnym użyciu wymagać będą wyposażenia w pamięci nowego rodzaju? Czy przyszłością są tutaj pamięci rezystywne?

MRAM - w poszukiwaniu pamięci uniwersalnej

Działy badawcze nieustannie pracują nad nowymi technologiami w obszarze przechowywania informacji. Dotarcie do granic technologicznych w przypadku wielu wykorzystywanych typów pamięci jest jedynie kwestią czasu. Stąd m.in. zainteresowanie MRAM - Magnetoresistive Random Access Memory, rodzajem pamięci opartej na tunelowym efekcie magnetorezystancyjnym, gdzie wykorzystywane jest zjawisko magnetooporu. Ten rodzaj pamięci leży w obszarze zainteresowania potężnych koncernów, w tym m.in.

Wzrost pojemności dysków HDD - technologie zapisu magnetycznego

Konieczność dysponowania coraz większą przestrzenią magazynową wynikająca z rosnącej w lawinowym tempie liczby bitów informacji przeznaczonych do zapisu, wymusza kolejne udoskonalenia i usprawnienia na wielu różnych płaszczyznach przechowywania danych - powstają coraz nowsze rodzaje pamięci, zmianom ulegają także technologie samego zapisu.

Optical Disc Archive - Sposób archiwizowania danych

Postępujące procesy cyfryzacji generują ogromne ilości danych, które muszą być przechowywane z zachowaniem wszelkich wymogów bezpieczeństwa, trwałości i ochrony przechowywanych informacji. Ma to szczególne znaczenie w kontekście utraty zarchiwizowanych materiałów i ewentualnej konieczności ich późniejszego odzyskiwania.

Konwencjonalne układy pamięci NAND dochodzą do granic wydajności. Gęstości upakowania komórek osiągnęła poziom, przy którym trudno oczekiwać rozwiązań oferujących znaczący wzrost pojemności i szybkości układów budowanych w oparciu o tę technologię. Zmniejszenie przestrzeni między komórkami ma bowiem swoje granice - komórki leżące zbyt blisko siebie mogą wpływać na wartości przechowywanych ładunków, co skutkować może uszkodzeniem czy zafałszowaniem danych.