Artykuły
Jedną z technologii konkurujących w obszarze poszukiwań następcy dobijającej kresu swoich możliwości pamięci Flash jest CBRAM (Conductive Bridging RAM) - pamięć podobna do rezystywnego RAM-u. Jej parametry w kontekście zużywanej energii, jak również szybkości działania, znacznie przewyższają komórki NAND stanowiąc idealne rozwiązanie w przypadku urządzeń w segmencie np. Internetu Rzeczy (IoT), a także wszędzie tam gdzie priorytetowe są te właśnie parametry.
Wśród nowych rodzajów pamięci mogących zastąpić w przyszłości, zdaniem niektórych ekspertów, wysłużone i nie mające już zbyt szerokich perspektyw NAND/flash, zgodnie wymienia się pamięć zmiennofazową (phase-change memory, znana także m.in. jako PRAM - Phase-change Random Access Memory, czy OUM - Ovonic Unified Memory).
Możliwości rozwoju pamięci opartych na zapisie magnetycznym lub przechowujących ładunek w komórkach półprzewodnikowych wydają się powoli wyczerpywać. Technologie, których rozwinięciem są tradycyjne dyski HDD, jak i pamięci NAND flash, a także różne rodzaje zapisu optycznego wciąż podlegają rozwojowi, niemniej jednak zakres ich zastosowania wydaje się zawężać. Czy urządzenia będące niedługo w powszechnym użyciu wymagać będą wyposażenia w pamięci nowego rodzaju? Czy przyszłością są tutaj pamięci rezystywne?
Działy badawcze nieustannie pracują nad nowymi technologiami w obszarze przechowywania informacji. Dotarcie do granic technologicznych w przypadku wielu wykorzystywanych typów pamięci jest jedynie kwestią czasu. Stąd m.in. zainteresowanie MRAM - Magnetoresistive Random Access Memory, rodzajem pamięci opartej na tunelowym efekcie magnetorezystancyjnym, gdzie wykorzystywane jest zjawisko magnetooporu. Ten rodzaj pamięci leży w obszarze zainteresowania potężnych koncernów, w tym m.in.
Konieczność dysponowania coraz większą przestrzenią magazynową wynikająca z rosnącej w lawinowym tempie liczby bitów informacji przeznaczonych do zapisu, wymusza kolejne udoskonalenia i usprawnienia na wielu różnych płaszczyznach przechowywania danych - powstają coraz nowsze rodzaje pamięci, zmianom ulegają także technologie samego zapisu.
Postępujące procesy cyfryzacji generują ogromne ilości danych, które muszą być przechowywane z zachowaniem wszelkich wymogów bezpieczeństwa, trwałości i ochrony przechowywanych informacji. Ma to szczególne znaczenie w kontekście utraty zarchiwizowanych materiałów i ewentualnej konieczności ich późniejszego odzyskiwania.
Konwencjonalne układy pamięci NAND dochodzą do granic wydajności. Gęstości upakowania komórek osiągnęła poziom, przy którym trudno oczekiwać rozwiązań oferujących znaczący wzrost pojemności i szybkości układów budowanych w oparciu o tę technologię. Zmniejszenie przestrzeni między komórkami ma bowiem swoje granice - komórki leżące zbyt blisko siebie mogą wpływać na wartości przechowywanych ładunków, co skutkować może uszkodzeniem czy zafałszowaniem danych.
Walka na polu zwiększenia pojemności magazynowej tradycyjnych dysków magnetycznych trwa. O różnych technologiach z tym związanych już pisaliśmy (Mach.2, HAMR, wykorzystanie szkła).
Poszukiwania nowych technologii przechowywania informacji nie ustają. Sprostanie wymogom wciąż rosnącej liczby danych, konieczności coraz szybszego dostępu do pamięci, mniejszego zużycia energii czy zwiększenia trwałości (wydłużenia czasu bezawaryjnej pracy) to wyzwania, przed którymi stają projektanci i konstruktorzy nowych rodzajów pamięci, zarówno masowej, jak i operacyjnej.
Wydawać by się mogło, że dyski SSD skutecznie wyeliminują z rynku tradycyjne konstrukcje magnetyczne. Potrzeba coraz większych przestrzeni magazynujących dane sprawia jednak, iż dyski HDD są ciągle poszukiwanym rozwiązaniem. Powodem jest tu cena przechowywania danych w przeliczeniu na jednostkę pojemności. W przypadku wielkich baz danych dyski SSD są ciągle rozwiązaniem zbyt kosztownym. Inwestycje w rozwój nowych technologii mających wpływ na zwiększenie pojemności HDD jest więc w dalszym ciągu decyzją racjonalną.
Klinika Danych Plac Konstytucji 5 (IVITER-CENTER) 00-657 Warszawa
Telefon: 731 153 969
